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　　一開始沒有細想此電路時，乍一看無非就是一個電感上加一路繞組當變壓器用，把電壓耦合出來給到Vcc，當結(jié)合電路仔細的分析發(fā)現(xiàn)應(yīng)該最初設(shè)計者還是花了一些心思的，接下來我們一起來做一個簡短的定性分析。

　　Step1： 分析前：需要注意的地方

　　大家在做基本工作狀態(tài)分析的時候需要注意，輸入電壓是饅頭波并且波動范圍非常大，饅頭波周期為10ms，一個饅頭波周期內(nèi)有幾百個高頻周期　　

　　在輸入饅頭波電壓處于較“低”位置的時：在MOS管導(dǎo)通，電感儲能階段Vcc繞組“左負右正”壓差較“低”，電感釋放能量階段Vcc繞組左正右負壓差較“高”

　　在輸入饅頭波電壓處于較“高”位置的時：在MOS管導(dǎo)通，電感儲能階段Vcc繞組“左負右正”壓差較“高”，電感釋放能量階段Vcc繞組左正右負壓差較“低”

　　所以，在饅頭波電壓低位時，Vcc繞組壓差更高的是正壓，但是在饅頭波電壓高位時，Vcc繞組壓差更高的是負壓，那么在饅頭波電壓高位時這個負壓怎么給芯片Vcc電容補充能量呢?

　　Step2： 芯片的啟動

　　當輸入通電時，輸入電壓通過電阻R4和R5給C29充電，當C29被充電到12V時芯片開始啟動工作。

　　芯片啟動之后，由于芯片內(nèi)部需要額外消耗5mA左右的電流，啟動電阻提供的電流不足，所以電容C29的電壓緩慢下跌，焦急等待Vcc繞組給它補充能量。

　　Step3： 芯片正常工作之后如何給Vcc電容補充能量?

　　由于輸入電壓是饅頭波，電壓是有高有低的，所以下面根據(jù)不同的情況做定性分析

　　①當輸入電壓處于饅頭波電壓低位時　　

　　由于輸入電壓很低，PFC電感儲能階段MOS管VT1開啟，主繞組左正右負壓差較低，根據(jù)同名端標識可知，Vcc繞組左負右正壓差很低，繞組右端為0電位，左端位負電位，繞組通過穩(wěn)壓管D2(1N5248為18V穩(wěn)壓管)→C5→R14回到繞組左端，此時C5被充電左正右負，但是由于繞組源頭電壓就不高，C5左正右負的壓差也很小。

　　PFC電感釋放能量階段MOS管VT1關(guān)斷，由于輸入電壓處于低位而輸出電壓有400V，所以此時主繞組左負右正壓差很高，根據(jù)同名端標識可知，Vcc繞組左正右負壓差較高，繞組右端為0電位，左端位正電位，繞組較高的電壓疊加了C5之前的左正右負的壓差一起給Vcc電容補充能量。

　　(注意：下面括號中的低壓差和高壓差描述的實際是相對的高與低)

　　結(jié)論

　　MOS管導(dǎo)通期間，Vcc繞組給C5充電(左正右負低壓差)，此時芯片工作需要的電能由C29原本存儲的能量提供

　　MOS管關(guān)斷期間，Vcc繞組(高壓差)+C5(低壓差)，一起給Vcc電容C29補充能量，Vcc+C5總電壓適中。

　?、诋斴斎腚妷禾幱陴z頭波電壓中位時　　

　　由于輸入電壓相對高了，所以C5和Vcc繞組壓差的變化情況如下

　　結(jié)論(分析過程跟輸入電壓低位類似，可自行分析)：

　　MOS管導(dǎo)通期間，Vcc繞組給C5充電(左正右負中壓差)，此時芯片工作需要的電能由C29原本存儲的能量提供

　　MOS管關(guān)斷期間，Vcc繞組(中壓差)+C5(中壓差)，一起給Vcc電容C29補充能量，Vcc+C5總電壓適中。

　?、郛斴斎腚妷禾幱陴z頭波高壓高位時　　

　　由于輸入電壓相對很高，所以C5和Vcc繞組壓差的變化情況如下

　　結(jié)論(分析過程跟輸入電壓低位類似，可自行分析)：

　　MOS管導(dǎo)通期間，Vcc繞組給C5充電(高壓差)，此時芯片工作需要的電能由C29原本存儲的能量提供

　　MOS管關(guān)斷期間，Vcc繞組(低壓差)+C5(高壓差)，一起給Vcc電容C29補充能量，Vcc+C5總電壓適中。

　　總結(jié)：

　　此電路巧妙之處在于，無論是輸入電壓是低位，還是中位，還是高位，總之Vcc繞組壓差+C5的壓差之和總是比較適中的給Vcc電容來補充能量，當然了還沒時間做細致的定量分析，如果存在不妥之處歡迎大家留言，還請大家指正，感謝!!!