三極管驅(qū)動(dòng)NMOS實(shí)現(xiàn)3.3V轉(zhuǎn)24V電路
發(fā)布時(shí)間:2025-04-21作者:admin點(diǎn)擊:3
介紹了MOS管(NMOS和PMOS)的導(dǎo)通原理,包括開(kāi)啟電壓、預(yù)夾斷電壓和漏源破壞電壓,以及在電路中的應(yīng)用,如使用三極管驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)3.3V到24V的轉(zhuǎn)換
一、MOS管導(dǎo)通原理。
MOS管的兩個(gè)重要參數(shù)
VGS(th):開(kāi)啟電壓
VGS(off):預(yù)夾斷電壓
VDS(max)漏源破壞電壓
1、MOS管:
當(dāng)0=
當(dāng)VGS>VGS(th),VDS>0,NMOS管導(dǎo)通。
VGD=VGS-VDS;當(dāng)VGS保持不變,隨著VDS的增大,VGD逐漸減小,導(dǎo)致靠近漏極D一側(cè)的耗盡層變寬,導(dǎo)電溝道變窄,但漏極電流Id隨著VDS的增大而線(xiàn)性增大。
當(dāng)VGD=VGS(off),MOS管進(jìn)入飽和區(qū)。此后再增大VDS,電流ID也不會(huì)發(fā)生變化。
當(dāng)VDS>VDS(max)時(shí),MOS管被擊穿損壞。

2、PMOS:
PMOS管特性與NMOS管類(lèi)型,但相反。
當(dāng)0>VGS>VGS(th),VDS<0,PMOS管截止。
當(dāng)VGS
當(dāng)VDS
二、電路
三極管驅(qū)動(dòng)PMOS實(shí)現(xiàn)3.3V轉(zhuǎn)24V電路
Q1導(dǎo)通,Vgs=12v-24v=-12v
Q1截止,Vgs=0v>Vt=-2.5v ,Q4截止,PWM_OUT1=0V;

三極管驅(qū)動(dòng)NMOS實(shí)現(xiàn)3.3V轉(zhuǎn)24V電路
Q2截止,VGS=0
Q2導(dǎo)通,VGS=5V>Vt=2.5V,Q3導(dǎo)通,PWM_OUT2=24V;

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