場效應管做的開關(guān)電路一般分為兩種，一種是N溝道，另一種是P溝道，如果電路設(shè)計中要應用到高端驅(qū)動的話，可以采用PMOS來導通。

　　1.P溝道MOS管開關(guān)電路

　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，當Vgs<0,即Vs>Vg,管子導通。S點的電壓會傳到D點。

　　若Vs=0，Vg=Vd=24V。燒管子。當時我們想，當Vg點的電壓大于Vs點的電壓，管子就會關(guān)掉。但是實際情況是，當g點給10V，s點給0v，管子會關(guān)掉，但是當d點電壓為24v時，由于管子內(nèi)部電阻很小，管子就燒壞了。

　　若Vg=0v,Vs點加的電壓由24v降到0v，Vd點的電壓也會由24v降到0v。即當s點的電壓大于g點的電壓，管子就會導通，就會將s點的電壓傳到d點。當g點電壓為0，s點電壓大于0，s點的電壓就會傳到d點。

　　總結(jié)：對于P-mos管，對G點采用的是負邏輯控制。低有效。

　　適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導通，而非相對于地的電壓。但是因為PMOS導通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

　　典型應用電路：

　　2. N溝道MOS管開關(guān)電路

　　對于N-MOS管采用的是正邏輯，當Vgs>0,即G點電壓大于S點電壓，管子就會導通，D點電壓就會傳到S點。當VDS的電壓增大，ID就會增大。

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓大于參數(shù)手冊中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當NMOS作為高端驅(qū)動時候，當漏極D與源極S導通時，漏極D與源極S電勢相等，那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續(xù)導通。

　　典型應用電路：

　　3. 總結(jié)

　　以上就是關(guān)于場效應管開關(guān)電路的相關(guān)介紹,高端驅(qū)動一般應用的是PMOS的特性，而低端驅(qū)動一般應用于NMOS的特性，測量的是柵極G與源極S的壓差。

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