電流倒灌現(xiàn)象?來(lái)看3個(gè)PMOS管防倒灌電路
發(fā)布時(shí)間:2024-10-18作者:admin點(diǎn)擊:81
在實(shí)際的電路應(yīng)用中,有時(shí)會(huì)遇到電流倒灌現(xiàn)象,今天我們就來(lái)分享三個(gè)PMOS防倒灌電路。
我們來(lái)看這個(gè)電路:控制信號(hào)G_CTRL控制VB4.2+給VCC_OUT供電。
在這里,源漏極兩端沒(méi)有接反,電阻R2的作用是為了控制柵極電流時(shí)不會(huì)太大,R3控制柵極的常態(tài)。
將R3上拉為高時(shí),Pmos截止。
這個(gè)電路也可以看成是對(duì)控制信號(hào)的上拉,當(dāng)MCU內(nèi)部的管腳沒(méi)有上拉時(shí),此時(shí)的輸出為開(kāi)漏,PMOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。
那么就需要外部電壓的上拉了,這時(shí)R3就起到了兩個(gè)作用。
第二個(gè)電路:
這個(gè)電路不僅可以防倒灌,還可以實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)功能。
當(dāng)電源接反時(shí),PMOS不導(dǎo)通,后級(jí)電路斷開(kāi)。
在這里加入了一個(gè)穩(wěn)壓管,是為了保護(hù)MOS管。
除了上面兩個(gè)電路,實(shí)際應(yīng)用中我們還可以連接兩個(gè)MOS管進(jìn)行背靠背防倒灌。
當(dāng)控制端為高電平時(shí),三極管Q9導(dǎo)通,Q3和Q4的柵極被拉低到0V,Q3通過(guò)體二極管導(dǎo)通,接著Q4導(dǎo)通,負(fù)載端得到Vin電壓。
當(dāng)控制端為低電平,三極管Q9斷開(kāi),Q3與Q4不導(dǎo)通,并且完全關(guān)斷,由于3與Q4的體二極管是反向串聯(lián)的,所以無(wú)論那個(gè)方向都是不通的,實(shí)現(xiàn)了防倒灌。
不過(guò)要注意,這個(gè)電路可能需要一個(gè)IO來(lái)控制。