我們使用脈寬調(diào)制(PWM)器構(gòu)成開關(guān)電源時(shí)，一定會(huì)選擇功率開關(guān)管進(jìn)行搭配。而在開關(guān)電源中使用的功率開關(guān)管主有雙極型功率開關(guān)管(BJT)、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵一雙極型晶體管(IGBT)。

　　我們?cè)谶x擇開關(guān)電源的功率開關(guān)管時(shí)，要注意其導(dǎo)通壓降(或通態(tài)電阻)和開關(guān)速度;功率開關(guān)管的導(dǎo)通壓降和開關(guān)速度與額定電壓有關(guān)，額定電壓越高，導(dǎo)通壓降越大，開關(guān)速度越慢。因此，在滿足額定電壓為實(shí)際工作電壓1.2~1.5倍的條件下，應(yīng)盡量選擇低壓功率開關(guān)管。

　　雙極型功率開關(guān)管(BJT)是具有開關(guān)特性和功率輸出能力的雙極、結(jié)型晶體管;由于有兩種載流子(電子與空穴)流過晶體管， 故稱之為雙極型，這與僅有一種載流子的場(chǎng)效應(yīng)管不同。雙極型功率管屬于電流驅(qū)動(dòng)型功率器件，常用的耐壓值在1kV以下，工作電流從幾安培到幾百安培;主要優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格便宜;而缺點(diǎn)是電流放大系數(shù)低，驅(qū)動(dòng)電流較大，開關(guān)頻率低(幾十千赫以下)，所以比較適合中、小功率的開關(guān)電源。

　　我們?cè)谑褂秒p極型功率開關(guān)管時(shí)要注意：雙極型功率開關(guān)管有一個(gè)以集電極最大電流、集電極最大允許功耗、二次擊穿電流和集電極-發(fā)射極擊穿電壓為邊界的安全工作區(qū)。無論在瞬態(tài)還是穩(wěn)態(tài)下，晶體管的工作電流和工作電壓都不得超出安全工作區(qū)范圍。此外，安全工作區(qū)的邊界值還與環(huán)境溫度、脈沖寬度等參數(shù)有關(guān)。當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，安全工作區(qū)也應(yīng)降額使用;雙極型功率開關(guān)管的電流放大系數(shù)值較低，其最小值一般為5~10倍;環(huán)境溫度每升高10℃,集電極漏電流就增加一倍，這會(huì)引起關(guān)斷損耗;為降低功率開關(guān)管的導(dǎo)通損耗，它在導(dǎo)通時(shí)一般處于過飽和狀態(tài)，這勢(shì)必增加 了存儲(chǔ)時(shí)間，降低開關(guān)速度。為減少存儲(chǔ)時(shí)間，所以需要在功率開關(guān)管關(guān)斷時(shí)給發(fā)射結(jié)加反向電壓，但反向電壓過大，發(fā)射結(jié)將被反向擊穿;為了避免擊穿電流過大，我們可采用電阻來限制反向電流不致過大;為了快速關(guān)斷功率開關(guān)管，可采用抗飽和電路;如下圖所示：

　　MOSFET屬于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)10^15Ω);我們依據(jù)開關(guān)管導(dǎo)通方式劃分，可分N溝道管和P溝道管兩種類型;根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型兩種。所謂增強(qiáng)型是指當(dāng)Ugs=0時(shí),開關(guān)管子呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的Ugs(對(duì)N溝道管要求Ugs>0;對(duì)P溝道管則要求Ugs<0)時(shí)，多數(shù)載流子就被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指當(dāng)Ugs=0時(shí)即形成溝道，加上正確的Ugs(對(duì)N溝道管要求Ugs<0)時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道， 因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。

　　我們通常使用到的MOSFET功率開關(guān)管一般采用N溝道管，因?yàn)樵谕瑯記r下N溝道管的通態(tài)電阻要比P溝道管小，且開關(guān)速度比N溝管快。由于MOSFET 的源極和漏極結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的，因此使用時(shí)互換。對(duì)N溝道管而言，只要在柵極和源極(漏極)之間加上電壓就能雙向?qū)?。因此MOSFET可用作同步整流。MOSFET功率開關(guān)管的工作電流從幾安培到幾百安培，輸出功率從幾十瓦到幾千瓦，開關(guān)頻率可達(dá)幾百千赫至1MHz以上。