這是沒有做軟開啟的電源電壓，上升時(shí)十分陡峭。

　　這是加入了軟開啟，上升沿變得平緩。

　　而只要增加一個(gè)電容和一個(gè)電阻，就能實(shí)現(xiàn)電路的軟啟動(dòng)功能.

　　當(dāng)一個(gè)電源電壓為5V時(shí)，負(fù)載為一個(gè)大容量電容，電源會(huì)瞬間開啟，讓電壓瞬間上升達(dá)到5V，此時(shí)電容充電電流會(huì)非常大。如果將這個(gè)電源電壓上升到2.5V，這個(gè)電流就會(huì)小很多，這個(gè)時(shí)候就需要軟啟動(dòng)了。

　　帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路

　　軟啟動(dòng)：讓電源緩慢開啟，以限制電源啟動(dòng)時(shí)的 浪涌電流。

　　分享一個(gè)網(wǎng)上看到的電路，它是利用電容C1的充電時(shí)間讓MOS管導(dǎo)通，然后實(shí)現(xiàn)了軟開啟的功能。

　　【圖1：框圖中1個(gè)MOS管符號(hào)代表1個(gè)完整的MOS管電源開關(guān)電路】

　　【圖2：電容C1、電阻R2實(shí)現(xiàn)軟開啟(soft start)功能】

　　當(dāng)輸入信號(hào)為低電平或者高阻時(shí)，電源+5V上電，Q2基極被拉低到地，三極管關(guān)閉，隨后MOS管Q1關(guān)閉。

　　這是因?yàn)殡娫?5V還不穩(wěn)定，電源無法打開向后級(jí)電路輸出。

　　此時(shí)電源+5V剛上電，MOS管的G極和S極同等電勢(shì)，也就是說Vgs=0，Q1關(guān)閉。

　　這里的R4電阻的作用是當(dāng)輸入信號(hào)為高阻時(shí)，避免Q2浮空。

　　當(dāng)電源上電完成后，GS兩端都為5V，Vgs保持為0

　　此時(shí)將輸入信號(hào)設(shè)為高電平，大概3.3V，Q2的基極為0.7V，電流為0.26mA：

　　(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA

　　當(dāng)Q2飽和導(dǎo)通，Vce≈0;

　　電容C1通過電阻R2充電，C1與G極相連端的電壓由原本的5V緩慢下降為0V，Vgs電壓逐漸增大;Q1MOS管緩慢打開，最后完全打開，Vgs=-5V，實(shí)現(xiàn)軟開啟。

　　這是MOS管打開時(shí)的電流流向：

　　電源打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時(shí)將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。

　　當(dāng)電容容量越大，電壓越高，時(shí)間越短，電流就會(huì)越大，浪涌電流就會(huì)形成。

　　而這個(gè)電路利用電容C1的充電時(shí)間實(shí)現(xiàn)了MOS管Q1 的導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)了軟開啟的功能。

　　不過大電容只是形成浪涌電流的原因之一，其他負(fù)載也會(huì)引起浪涌電流。