今天我們一起來(lái)了解一下

　　MOS管開(kāi)關(guān)電路中，上拉電阻和下拉電阻有什么區(qū)別?

　　上拉電阻和下拉電阻，本質(zhì)上來(lái)講都是電阻在作用，之所以稱(chēng)為上拉和下拉，只是它們的使用的場(chǎng)景不同。

　　比如說(shuō)，在實(shí)際電路中我們會(huì)經(jīng)常遇到器件輸出電壓幅度不足的情況，如果前級(jí)只能輸出0V-3V的電平，而后級(jí)系統(tǒng)需要一個(gè)0V-5V的高電平或者低電平，就可以利用上拉電阻，強(qiáng)制拉高前級(jí)的輸出電壓，但是這種方式只能夠?qū)㈦妷豪?V-5V之間。

　　同樣，當(dāng)輸出低電平不夠低時(shí)，可以利用下拉電阻將低電平拉低，至于能夠拉到多少電壓，取決于電阻的阻值。

　　在MOS管的開(kāi)關(guān)電源中，一般會(huì)在NMOS管上加一個(gè)下拉電阻，在PMOS管柵加一個(gè)上拉電阻，大概在10K左右。通常它起到這三個(gè)作用：

　　給MOS管柵極確定電平

　　防止靜電擊穿

　　提供放電路徑

　　MOS管在上電的時(shí)候會(huì)有一段時(shí)間呈現(xiàn)高阻態(tài)，在導(dǎo)通的情況下這種狀態(tài)是不受控制的，NMOS可能會(huì)受到高電頻干擾，PMOS會(huì)受到低電頻干擾，這很容易導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管被燒毀。

　　這時(shí)增加電阻能夠讓柵極是一個(gè)確定的電平，不再是一個(gè)高阻態(tài)。也就是說(shuō)MOS管在上電時(shí)會(huì)一直保持關(guān)閉狀態(tài)，直到單片機(jī)控制它的開(kāi)關(guān)。

　　此外，在呈現(xiàn)高阻態(tài)時(shí)容易積累一些靜電電荷，在一定程度時(shí)會(huì)在GS之間形成高電壓，MOS管容易擊穿并損壞，也需要電阻來(lái)進(jìn)行固定電平。

　　提供放電路徑這個(gè)我們之前講過(guò)，原因是mos管的GS存在寄生電容，電阻在斷電時(shí)為寄生電容提供一個(gè)放電路徑。